文档名：石墨烯上外延GaN的AlN缓冲层研究
本文所用衬底为铜衬底上的单层石墨烯。衬底在生长前进行30分钟600℃的去气处理。生长时，首先对衬底进行氮化处理，利用等离子体中的活性氮原子轰击石墨烯可形成后续成核的位点。生长GaN之前，很重要的一个步骤是生长AlN缓冲层，可以增加其在石墨烯层上的成核密度，同时降低GaN外延层中的层错（立方相）的比例。因此，本文重点对石墨烯上AlN缓冲层的生长进行研究。结果表明，在石墨烯上外延氮化物半导体材料时，生长初始阶段的AlN缓冲层起着至关重要的作用。采用合适的AlN缓冲层生长条件，可为后续体材料的生长提供较为平整的模板，提高外延材料的晶体质量。
作者：余佳东郝智彪于汪洋吴超李翔邓军王健汪莱罗毅孙长征韩彦军熊兵李洪涛
作者单位：清华大学电子工程系
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TN3TN2
关键词：氮化铝缓冲层 外延生长 晶体结构 性能表征
在线出版日期：2019年8月12日
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