文档名:室温连续工作的波长9.3微米的量子级联激光器
量子级联激光器在红外对抗和气体传感等领域有着重要的用途.本文采用用分子束外延(MBE)在InP衬底上生长了InGaAs/InAlAs的有源区结构,然后用湿法腐蚀除了双沟的脊波导,用MOCVD填沟生长了半绝缘InP(Fe:InP)掩埋异质结后,二次外延了InP上波导,制备的单脊波导器件能够达到303K的连续工作温度.激光器在283K时,激射波长为9.35微米,连续波输出功率达45mW,温度升高到303K时,其波长红移到9.45μm,仍有10mW输出功率.通过进一步分布反馈布拉格光栅的制作,制备的新器件有望在长波红外的气体传感领域得到应用。
作者:赵越 张锦川 卓宁 翟慎强刘俊歧刘峰奇
作者单位:中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京100083低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京100083中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049
母体文献:第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称:第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间:2017年8月15日
会议地点:太原
主办单位:中国有色金属学会,中国电子学会
语种:chi
分类号:
关键词:量子级联激光器 制备工艺 异质结构 性能表征
在线出版日期:2019年8月12日
基金项目:
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