文档名：室温连续工作Ge基InAs量子点激光器
光子是信息系统依赖的一种重要信息载体,在高速信息传递方面具有不可替代的地位.另一方面,随着超大规模集成电路的发展,电子信息系统在信息处理功能和规模方面已经具有很高的成熟度.如果能将二者的优势在芯片间或芯片内相结合,无疑会大大提高信息系统的性能.主要研究了利用分子束外延技术来实现GaAs材料和Ge/Si材料的集成。该方案中的材料制备由两个部分组成：第一部分是在Si衬底上制备弛豫的Ge晶体薄膜材料；第二部分是在Ge/Si衬底上外延制备GaAs材料。这样就可以实现从间接带隙材料(Si)过渡到直接带隙材料（Ⅲ-Ⅴ），从而在Si基上制备激光光源。本报告中将重点介绍第二个部分，即在Ge薄膜上外延GaAs材料和InAs量子点激光器结构，并对室温连续工作Ge基激光器的性能进行分析。
作者：龚谦 曹春芳 严进一 赵旭熠 王海龙 周长帅 杨维凯
作者单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050曲阜师范大学物理系,曲阜273165
母体文献：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文集
会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
会议时间：2017年5月25日
会议地点：厦门
主办单位：厦门大学,浙江大学
语种：chi
分类号：
关键词：锗基量子点激光器 砷化铟薄膜材料 制备工艺 波长特性
在线出版日期：2020年6月22日
基金项目：
相似文献
相关博文
- 文件大小:
- 141.13 KB
- 下载次数:
- 60
-
高速下载
|
|
