文档名：深耘IGBT芯技术,助力新能源
IGBT将绝缘栅简易控制特性与双极器件的强大导电能力结合起来，弥补了功率MOS在高压领域通态电阻偏大的不足。
作者：杨继业
作者单位：上海华虹宏力半导体制造有限公司
母体文献：2018中国集成电路产业发展研讨会暨第21届中国集成电路制造年会论文集
会议名称：2018中国集成电路产业发展研讨会暨第21届中国集成电路制造年会
会议时间：2018年9月13日
会议地点：无锡
主办单位：中国半导体行业协会
语种：chi
分类号：U26TP2
关键词：绝缘栅半导体器件 芯片结构 导电能力 电阻特征
在线出版日期：2019年11月29日
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