文档名：使用深能级瞬态谱研究P型硅太阳电池的光率机理
通过DLTS从微观机理上说明了磷吸杂以及氢化处理后P型多晶硅片少子寿命提高的原因，从宏观及微观上分析了AlOx和AlOx/SiNx叠层钝化的吸杂及未吸杂硼掺杂多晶硅寿命样品的LeTID现象。
作者：王文静 周春兰 郑雄
作者单位：中国科学院电工研究所中国科学院大学
母体文献：2018年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会论文集
会议名称：2018年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会
会议时间：2018年11月1日
会议地点：南昌
主办单位：中国可再生能源学会,上海市太阳能学会
语种：chi
分类号：TN4TN3
关键词：硅太阳电池 光率机理 多晶硅 深能级瞬态谱
在线出版日期：2019年11月29日
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