文档名：砷化镓纳米阵列的制备与光学性能研究
结合半导体材料独特的光电特性和低维材料在微尺度下展现出的新奇物理性质如:光陷阱、载流子倍增效应等设计新型光电器件,是降低光电器件制作成本的有效途径.由于在成本和制备工艺等方面的特殊优势,可以预见,基于一维纳米结构的光电器件将在下一代光电器件开发中占有不可取代的特殊地位.一维纳米结构的光电器件的前提是实现大面积有序纳米阵列的制备，鉴于此，结合二维有序单层胶体球模板和镓辅助分子束外延生长的技术优势，通过探索分子束外延制备砷化镓纳米线过程中制备工艺对砷化镓纳米线形貌、缺陷影响，进一步揭示砷化镓纳米线的生长机理，同时，通过控制原始胶体球直径，氧等离子体刻蚀工艺和镓辅助分子束外延生长工艺实现了在两英寸硅衬底上几何参数（直径、周期和填充比等）可控的一维砷化镓有序纳米阵列的制备。
作者：李新化史同飞王玉琦
作者单位：中国科学院合肥固体物理研究所材料物理重点实验室
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TQ3TQ1
关键词：砷化镓纳米阵列 制备工艺 几何参数 光学性能
在线出版日期：2019年8月12日
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