面向硅通孔TSV的高深宽比薄膜沉积技术进展及应用

文档名：面向硅通孔TSV的高深宽比薄膜沉积技术进展及应用
近年来,以硅通孔(TSV,Through-Silicon-Via)为核心的先进封装技术是三维集成领域的发展趋势和研发热点.与之相关制造技术也得到了快速发展.由于TSV特征尺寸的限制,传统的薄膜制备技术难以满足目前新型功能薄膜的应用需求,相应的薄膜制备技术也取得进一步发展.本文将介绍面向TSV结构的深孔的薄膜沉积技术的发展,以及PVD、MOCVD、ALD等改进技术及特点,阐述薄膜制备技术在TSV高深宽比的金属化的应用.
作者：谢迪王从香崔凯
作者单位：南京电子技术研究所,江苏南京210039
母体文献：第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会论文集
会议名称：第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会  
会议时间：2017年10月1日
会议地点：上海
主办单位：上海市真空学会,江苏省真空学会,安徽省真空学会,浙江省真空学会
语种：chi
分类号：TN3TN4
关键词：芯片封装  硅通孔  薄膜沉积  共形能力
在线出版日期：2021年3月22日
基金项目：
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