文档名：面向Si上Ge材料垂直腔面发射激光器的设计
基于SOI上Ge虚衬底生长SiGe/Ge多量子阱材料制备了垂直共振腔发光二极管(RCLED).发现RCLED发光强度随注入电流密度增加出现非线性放大,同时在大注入电流密度下出现了FP腔模,说明了Ge在电泵浦下净光增益的存在.在实验结果的基础上,通过优化器件结构设计了出射波长为1600nm的SOI上SiGe/Ge多量子阱垂直腔面发射激光器(VCSEL).
作者：林光杨毛亦琛王佳琪李成陈松岩黄巍李俊汪建元
作者单位：厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,厦门361005
母体文献：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文集
会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
会议时间：2017年5月25日
会议地点：厦门
主办单位：厦门大学,浙江大学
语种：chi
分类号：TN2O43
关键词：垂直共振腔发射激光器 多量子阱材料 结构优化 电流密度
在线出版日期：2020年6月22日
基金项目：
相似文献
相关博文
- 文件大小:
- 555.99 KB
- 下载次数:
- 60
-
高速下载
|
|
