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利用脉冲激光退火在柔性基底上制备多晶GeSn薄膜

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admin 发表于 2024-12-11 07:58 | 查看全部 阅读模式

文档名:利用脉冲激光退火在柔性基底上制备多晶GeSn薄膜
采用磁控溅射的方法在柔性PI薄膜上生长出非晶GeSn薄膜,利用脉冲激光退火晶化为多晶GeSn薄膜.制备出了结晶性好,表面形貌较好且Sn偏析现象少的GeSn薄膜.
作者:张璐王一森李成陈松岩黄巍汪建元
作者单位:厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,厦门361005
母体文献:第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文集
会议名称:第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会  
会议时间:2017年5月25日
会议地点:厦门
主办单位:厦门大学,浙江大学
语种:chi
分类号:TN3TP2
关键词:柔性薄膜晶体管  锗锡薄膜  磁控溅射  脉冲激光退火  结晶性  表面形貌
在线出版日期:2020年6月22日
基金项目:
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