文档名：近红外与中红外宽光谱超辐射光源的研制
分别采用了GaAs基p掺杂的多层InAs量子点外延材料和InP基量子级联外延材料制备了近红外1.2μm波段、中红外4.5μm波段的“J”型波导结构的器件。器件测试结果表明，量子点“J”型波导器件在室温950mA工作电流下，连续输出功率超过20mW，光谱宽度为134nm，然而，对于“J”型波导结构的量子级联器件的测试表明其仍显示了激光器激射的特性，为了进一步降低反射率、有效地抑制器件激射，采用聚焦离子束（FIB）刻蚀器件直段部分的后腔面，刻蚀角度分别选取15°、17°和19°。对器件在80K脉冲工作条件下进行测试，在刻蚀角度为19°时得到了中心波长在4.5μm的中红外超辐射光源。在此基础上，利用不同腔长激光器的阈值电流密度与阈值增益的相互关系，结合以上近红外与中红外宽谱超辐光源的器件测试结果，得出结论：制备近红外量子点超辐射发光管时，前、后腔面反射率达到10-3即可抑制激射实现超辐射；而对于中红外量子级联超辐射光源而言，当发射率达到10-6时才可以抑制器件的激射，获得宽谱器件。
作者：陈红梅 侯春彩 黄源清 张锦川 梁平 刘峰奇 张子旸
作者单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所中国科学院纳米器件与应用重点实验室,江苏苏州215123中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所中国科学院纳米器件与应用重点实验室,江苏苏州215123;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：O43TN2
关键词：红外光源 制备工艺 激射抑制 性能表征
在线出版日期：2019年8月12日
基金项目：
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