文档名：极低热膨胀系数和中损耗覆铜板开发及其应用研究
开发了一款极低热膨胀系数和中损耗的无卤高Tg覆铜板,具有良好的耐热可靠性和很低的CTE,Z-CTE和XY-CTE分别为1.1％和11～12ppm/℃,Df为0.0095(10GHz),其XY-CTE已达到普通封装基板水平,并能满足多层板的应用要求.
作者：陈振文
作者单位：国家电子电路基材工程技术研究中心,广东生益科技股份有限公司广东东莞
母体文献：2020年第二十一届中国覆铜板技术研讨会论文集
会议名称：2020年第二十一届中国覆铜板技术研讨会
会议时间：2020年11月1日
会议地点：广东四会
主办单位：中国电子材料行业协会,中国电子电路行业协会
语种：chi
分类号：TQ3TM2
关键词：印刷电路 覆铜板 制造工艺 热膨胀系数 损耗性能
在线出版日期：2021年8月24日
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