文档名：基于深能级瞬态谱的多结太阳电池缺陷测试研究
本文研究了三节太阳电池深能级陷阱的测试方法.分别在电脉冲和光脉冲激发模式下开展了温度扫描的深能级陷阱测试.电脉冲下的深能级谱测试结果显示实验用三节太阳电池中存在三个空穴陷阱和一个电子陷阱,分别记为H1、H2、H3和E1.450纳米光脉冲下的深能级瞬态谱显示该三节太阳电池中一个空穴陷阱.通过对比电脉冲和光脉冲激发模式下深能级瞬态谱,可以确定空穴陷阱H1位于GaInP顶电池中,并计算得到了其密度为5.19×1014cm-3.
作者：彭超 丁飞
作者单位：工业和信息化部电子第五研究所,广州510610天津电源研究所,天津300384
母体文献：中国电子学会可靠性分会第二十届可靠性物理年会论文集
会议名称：中国电子学会可靠性分会第二十届可靠性物理年会
会议时间：2018年10月1日
会议地点：广州
主办单位：中国电子学会
语种：chi
分类号：TN3O47
关键词：多结太阳电池 深能级陷阱 测试方法 深能级瞬态谱
在线出版日期：2021年12月15日
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