文档名：基于金锗纳米线肖特基结的光探测器
将锗浓缩工艺和微纳加工工艺结合起来,制作了一种完全可控的锗纳米线探测器.器件结构如图1所示.在图1(a)中,两边的方形电极接触区尺寸为100×100μm2.图1(b)的中央正是锗纳米线,两边为采用电子束蒸发蒸镀的Ni/Au电极.
作者：李毅张鹤赵向杰崔成聪夏金松
作者单位：华中科技大学,武汉光电国家实验室,武汉400374
母体文献：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文集
会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
会议时间：2017年5月25日
会议地点：厦门
主办单位：厦门大学,浙江大学
语种：chi
分类号：TN3TN2
关键词：锗纳米线光探测器 锗浓缩工艺 微纳加工工艺 尺寸形貌
在线出版日期：2020年6月22日
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