文档名：基于SOI硅微剂量探测器读出电路的设计
本文采用CMOS技术设计了一种大动态范围、低功耗的SOI硅微剂量探测器读出电路.该读出电路包括电荷灵敏前放(CSA)、极零相消(P-Z)、滤波整形器(Shaper)、电压甄别器(包括比较器与阈值调节DAC),分别实现了信号放大、滤波、甄别输出等功能.CSA的核心运放采用PMOS单端输入的折叠共源共栅结构,整形电路采用有源滤波,电压比较器由两级开环放大器与一级推挽反相器构成.采用GFchrt018IC工艺下进行的仿真,表明该读出电路的探测能量范围为5fC～500fC,单通道功耗约为2mW,总噪声性能为0.05fC+1.6×10-3fC/pF.
作者：袁媛刘书焕龙彪李浩伟杜雪成刘晓波张国和贺朝会
作者单位：西安交通大学,西安,710049
母体文献：2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议论文集
会议名称：2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议
会议时间：2016年7月19日
会议地点：兰州
主办单位：中国核学会
语种：chi
分类号：TP2TN4
关键词：SOI硅微剂量探测器 读出电路 结构设计 探测能量范围 单通道功耗 噪声性能
在线出版日期：2022年3月25日
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