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基于APB总线的NANDFlash控制器设计与验证

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admin 发表于 2024-12-10 13:22 | 查看全部 阅读模式

文档名:基于APB总线的NANDFlash控制器设计与验证
NANDFlash存储器是一种广泛应用的非易失型存储器.因其存储结构的特点,对NANDFlash存储器的操作一般分为复位、读标识信息、读状态信息、读数据、写数据、内部数据移动、列地址操作等,各类操作又包含多条命令.除开放NANDFlash接口规范列出的20余条命令外,各厂商还可增加特殊的命令编码.如何有效支持不同厂商、不同型号的NANDFlash存储器,成为NANDFlash控制器设计要考虑的重要问题.在分析NANDFlash存储器各条命令的基础上,实现了一种基于APB总线的NANDFlash控制器.该控制器采用状态机控制对NANDFlash的操作,将各种操作统一分为锁存命令状态、锁存地址状态、写数据状态、读数据状态,避免了对NANDFlash各条命令的逐一实现,简化了NANDFlash控制器设计过程,能适应不同厂商、不同型号的NANDFlash控制要求,具有简单、灵活、易扩展的特点.
作者:蒋毅飞丁鹤然颜世云马莉
作者单位:
母体文献:第二十届计算机工程与工艺年会暨第六届微处理器技术论坛论文集
会议名称:第二十届计算机工程与工艺年会暨第六届微处理器技术论坛  
会议时间:2016年8月10日
会议地点:西安
主办单位:中国计算机学会
语种:chi
分类号:TP2TP3
关键词:NANDFlash控制器  设计理念  功能检验  APB总线
在线出版日期:2017年10月24日
基金项目:
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2024-12-10 13:22 上传
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