文档名：基于MBE的GeGrapheneGe的2D3D材料异质集成
在Ge(110)衬底CVD生长的石墨烯上，利用分子束外延技术(MBE)获得了Ge-Graphene-Ge的异质结构，通过原位反射高能电子衍射(RHEED)实时监控外延生长过程和晶体属性，使用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究了形貌特征。开始时可同时观测到石墨烯和Ge的图形，随着Ge外延层不断变厚，石墨烯信号逐渐减弱至25分钟时基本完全消失，最终呈现点状与环状共存的形态表明多晶与单晶共存。在低温(250℃)时，则表现为完全多晶，而高温时(470℃)单晶比例显著增加。SEM观测结果与RHEED基本一致。同时观测到，在中间温度时，外延形成的Ge纳米颗粒会沿着石墨烯的褶皱排列成纳米墙结构。外延层晶向表征和整体结构的电学特性研究等相关工作仍在进行中。
作者：杨悦昆 宋禹忻 朱忠赟珅 张振普 薛忠营 张苗 王庶民 狄增峰
作者单位：中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院大学,北京,100049中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;上海科技大学,物质科学与技术学院,上海,201210中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;查尔莫斯理工大学,瑞典哥德堡,41296
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TQ1TN3
关键词：锗纳米颗粒 分子束生长 异质结构 电学性能
在线出版日期：2019年8月12日
基金项目：
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