文档名：基于GaN的共振隧穿二极管
近年来,Ⅲ族氮化物半导体以其独特的材料特性和优异的器件性能而倍受关注.其中,基于氮化物的共振隧穿二极管(RTD）有望实现室温下太赫兹波的连续波可调大功率发射,成为氮化物研究一大热点.本文主要研究了GaN/AlGaN共振隧穿二极管的电学特性.分别在蓝宝石衬底和同质衬底上外延生长了AlGaN/GaN双势垒结构,通过标准半导体工艺制备了不同台面的RTD器件.
作者：王丁 杨流云 盛博文 陈兆营 石向阳 苏娟 谭为 张健 王新强 沈波
作者单位：北京大学物理学院,宽禁带半导体研究中心,北京100871;中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都610299北京大学物理学院,宽禁带半导体研究中心,北京100871中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都610299
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TN3TN2
关键词：共振隧穿二极管 分子束外延生长 氮化镓半导体 双势垒结构 电学特性
在线出版日期：2019年8月12日
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