基于GaAsMMIC功率放大芯片的ESD失效分析及其防护设计

文档名：基于GaAsMMIC功率放大芯片的ESD失效分析及其防护设计
砷化镓(GaAs)因为它本身较高的电子迁移率,低基极电阻,低损耗半绝缘衬底,高线性度,较高的过渡频率和击穿电压历来都是功率放大器(PA)的首选技术.本论文主要介绍了功率放大电路芯片的内部电路结构,针对基于GaAsMMIC的功率放大芯片进行了相关ESD失效分析,对不同的GaAs芯片做了ESD性能的评估并以肖特基二极管为防护器件对电路进行了防护设计提高了芯片的HBM等级.
作者：胡涛 董树荣 李响韩雁张世峰
作者单位：浙江大学昆山创新中心浙江大学微电子学院ESD实验室
母体文献：ESD-S第五届静电防护与标准化国际研讨会论文集
会议名称：ESD-S第五届静电防护与标准化国际研讨会  
会议时间：2016年11月16日
会议地点：西安
主办单位：中国标准化研究院,中国空间技术研究院
语种：chi
分类号：TN3TN4
关键词：砷化镓  功率放大器  静电放电  失效分析  安全防护
在线出版日期：2020年5月31日
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