文档名：硅锗低维纳米结构能带转换机制
近年来,在研究硅和锗的发光特性时发现,低维纳米结构能使其能带发生变化并带来很强的PL发光,同时出现了大量关于硅锗低维纳米结构能带转换的理论研究.本文采用第一性原理,对硅和锗的一维纳米线、二维纳米薄膜进行系统的计算,展现硅和锗低维纳米结构的能带变化规律及其原因.通过计算发现，硅锗低维纳米结构的能带结构转换主要与硅(100)晶向和锗(111)晶向受限有关，而与硅(111)晶向和锗(110)晶向受限无关；硅(110)晶向和锗(100)晶向限制到厚度较小（几个原子层厚度）时，低维结构能隙可转化为直接带隙结构；硅(100)晶向和锗(111)晶向受限，在计算的厚度范围（小于7nm）内能隙可转化为直接带隙结构。硅锗低维纳米结构三个取向上受限的能带结构变化是不一样的，其物理机制很有趣。他们的能隙随受限方向尺寸的变化却基本相同，都遵循量子限制效应。
作者：吴学科黄伟其
作者单位：贵州大学物理学院,纳米光子物理研究所,贵阳,550025
母体文献：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文集
会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
会议时间：2017年5月25日
会议地点：厦门
主办单位：厦门大学,浙江大学
语种：chi
分类号：TB3TN4
关键词：硅锗低维纳米结构 能带转换 物理机制 量子限制效应
在线出版日期：2020年6月22日
基金项目：
相似文献
相关博文
- 文件大小:
- 312.84 KB
- 下载次数:
- 60
-
高速下载
|
|
