文档名：关于Si基复合衬底外延翘曲的研究
MBE方法外延Si基复合衬底过程中,由于Si衬底材料与外延的复合衬底CdTe材料存在较大的晶格失配,以及外延过程中由于湿化学处理后保护层的热脱附过程不可避免地产生的热应力导致Si基复合衬底产生宏观形变.本文通过实验,研究了Si片湿化学保护层的热脱附温度和外延CdTe的膜层厚度与外延后Si基复合衬底形变量的关系.
作者：王丛
作者单位：中国电子科技集团公司第十一研究所
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TN3TB3
关键词：半导体薄膜 碲化镉 外延生长 热脱附过程 硅基复合衬底 形变量
在线出版日期：2019年8月12日
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