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硅基集成锗PIN探测器的制备

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admin 发表于 2024-12-10 10:13 | 查看全部 阅读模式

文档名:硅基集成锗PIN探测器的制备
硅基光互联中一个重要的组成部分就是高速的硅基探测器,而锗探测器具有与硅基COMS工艺兼容、响应波段覆盖通信波段、有着良好的电学性能等优势,成为目前制备硅基集成光电探测器的重要方案之一.利用分子束外延生长高质量Ge薄膜,制备了硅基集成锗PIN探测器,测试到了器件的IV曲线和光响应特性.
作者:宋金汶夏金松
作者单位:武汉光电国家实验室,华中科技大学,武汉
母体文献:第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文集
会议名称:第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会  
会议时间:2017年5月25日
会议地点:厦门
主办单位:厦门大学,浙江大学
语种:chi
分类号:TN3TN9
关键词:硅基探测器  锗薄膜  分子束外延生长  曲线测试  光响应特性
在线出版日期:2020年6月22日
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