文档名：硅基氮化镓横向栅控混合阳极功率二极管
AlGaN/GaN异质结器件因其高的临界击穿电场、高电子迁移率和良好的温度特性在下一代大功率和高频应用中展现出了巨大的潜力,二极管是电力电子应用中不可或缺的器件,制造一个具有开启电压(VT低、反向漏电小(IR＜1μA/mm)和击穿电压(BV)高的二极管成为了设计者面临的主要挑战,本文提出了一种硅基氮化镓横向栅控混合阳极功率二极管新结构，器件开启电压仅有0.3V(@lmA/mm)，BV>1100V(IR<1μA/mm)，该二极管还与GaNHEMT工艺兼容，进一步可实现GaN功率模块的单片集成。
作者：陈博文周琦张安邦施媛媛靳旸陈万军张波
作者单位：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验,成都,610054
母体文献：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议论文集
会议名称：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
会议时间：2015年10月30日
会议地点：苏州
主办单位：中国电子学会
语种：chi
分类号：TN3TN6
关键词：混合阳极功率二极管 硅基氮化镓 功率模块 单片集成
在线出版日期：2019年1月18日
基金项目：
相似文献
相关博文
- 文件大小:
- 577.12 KB
- 下载次数:
- 60
-
高速下载
|
|
