文档名：功率IC芯片真空回流焊工艺缺陷研究
分析了功率IC芯片真空回流焊装配中锡溅锡珠、芯片翻转、边缘空洞3种工艺缺陷的产生机理.研究了钢网厚度、钢网开口、回流时间、压力参数对真空回流焊工艺缺陷的影响.结果表明,功率IC芯片上的空洞随焊膏厚度增加而减小,"9宫"钢网开口更易于保持印刷厚度的一致性.采用120s预热时间、升温区预真空、变压力真空回流焊等措施,减少了锡溅锡珠,杜绝了芯片翻转,改善了芯片边缘空洞.
作者：杨亮亮陈容秦文龙张颖
作者单位：中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060
母体文献：2019中国高端SMT学术会议论文集
会议名称：2019中国高端SMT学术会议
会议时间：2019年10月1日
会议地点：成都
主办单位：中国电子学会,四川省电子学会
语种：chi
分类号：
关键词：功率IC芯片 真空回流焊 锡溅锡珠 芯片翻转 边缘空洞 缺陷分析
在线出版日期：2020年7月21日
基金项目：
相似文献
相关博文
- 文件大小:
- 2.62 MB
- 下载次数:
- 60
-
高速下载
|
|
