文档名：光催化辅助抛光单晶碳化硅工艺研究
碳化硅具有禁带宽度大、介电常数低、热导率高、临界击穿电场强大、饱和电子漂移速率高、抗辐射能力强以及与氮化镓(GaN)相近的晶格常数和热膨胀系数等优越的物理化学性能,使其成为21世纪极具发展前景的宽禁带半导体材料.但是,作为新一代高效节能半导体衬底材料,其表面必须得到高质量抛光才能应用.然而碳化硅高的材料硬度和化学稳定性,给超平坦、超光滑、无污染的表面加工带来极大的困难,严重制约了碳化硅在上述领域的应用.本文针对现有抛光方法存在的效率低、有污染、损伤大等问题,提出采用光催化辅助化学机械抛光的工艺抛光单晶碳化硅.该方法既能实现碳化硅衬底的高效超光滑抛光,又避免对人员和环境的危害,对碳化硅及其它硬脆材料的抛光具有较好的理论和应用价值.
作者：苑泽伟何艳段振云张幼军温泉
作者单位：沈阳工业大学机械工程学院,沈阳110870
母体文献：第十九届中国磨粒技术学术会议论文集
会议名称：第十九届中国磨粒技术学术会议
会议时间：2017年8月1日
会议地点：哈尔滨
主办单位：中国机械工程学会
语种：chi
分类号：
关键词：单晶碳化硅 化学机械抛光 光催化 物理化学性能
在线出版日期：2021年12月15日
基金项目：
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