文档名：高质量InSb材料的MBE同质和异质外延生长
InSb材料是波长在3-5μm中波红外波段具有重要研究意义的材料之一.本文以本单位内部生产的InSb(100）衬底为基础,通过摸索InSb(100)衬底的脱氧机制、生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比,获得了高质量的InSb同质外延样品,1.5μm样品的表面粗糙度RMS≈0.3nm(10μm×10μm）,FWHM≈7arcsec;采用相同的生长温度和V/III束流比,并且采用原子层外延缓冲层的方法在GaAs(100)衬底上异质外延本征非掺杂的InSb层,获得了较高质量的InSb本征异质外延样品,2μm样品的室温电子迁移率高达6.06×104cm2V-1s-1,FWHM<190arcsec.InSb材料的同质和异质外延优化生长可为高温工作掺铝InSb器件结构的优化生长提供重要参考依据.
作者：尚林涛周朋刘铭
作者单位：华北光电技术研究所
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：
关键词：锑化铟 异质外延生长 同质外延生长 电子迁移率
在线出版日期：2019年8月12日
基金项目：
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