文档名：高质量AlInAsSb体材料的分子束外延及其表征
AlInAsSb四元合金可以在InP、InAs、GaSb衬底上晶格匹配地进行外延生长,由于能带可调范围大而在近红外、中红外光电器件的应用上极具潜力.然而,AlInAsSb由于混溶隙较大、生长窗口较小,目前针对该材料的生长及表征仍少有研究.本文在GaSb衬底上通过分子束外延(MBE）进行不同Al组分AlInAsSb体材料的生长条件优化,通过光学显微镜、AFM、HRXRD等材料表征手段寻找到材料合适的生长温度、Ⅴ-Ⅲ束流比和生长速度,材料表现出较高的质量.
作者：吕粤希韩玺孙姚耀蒋志徐应强王国伟牛智川
作者单位：中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;中国科学院大学,材料科学与光电技术学院,北京,101408
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TN3TQ1
关键词：半导体材料 铝铟砷锑 分子束外延生长 工艺参数 结晶质量
在线出版日期：2019年8月12日
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