文档名：高压IGBT串联均压控制电路阈值电压设计方法
绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebipolartransistor,IGBT)器件具有耐压高、开关速度快、易驱动等优点,在电力电子变换器中应用广泛.然而目前单个IGBT器件的电压等级与容量不能满足大容量变换器的需求.应用高压IGBT串联技术是提升电力电子变换器电压等级与容量的一种有效方法.高压IGBT串联技术的关键问题是保证瞬态过程中的电压均衡.门极均压控制电路可以有效抑制串联IGBT的瞬态电压不均衡.该文介绍了一种门极均压控制电路的工作原理,综合考虑开关瞬态过程中换流回路杂散参数与续流二极管正向恢复特性的影响,提出了该电路的关键参数阈值电压的设计方法,可应用于多电平、多管串联的电力电子变换器系统中,并通过实验对该设计方法的实用性进行了验证.
作者：于华龙鲁挺姬世奇袁立强赵争鸣
作者单位：电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室(清华大学电机系),北京市海淀区100084
母体文献：北京电力电子学会2017电力电子论坛论文集
会议名称：北京电力电子学会2017电力电子论坛
会议时间：2017年9月1日
会议地点：北京
主办单位：北京电力电子学会
语种：chi
分类号：TN3TN6
关键词：电力电子变换器 绝缘栅双极型晶体管 均压控制电路 阈值电压设计
在线出版日期：2020年11月30日
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