文档名：高能电子单粒子效应模拟实验研究
本文基于2MeV自屏蔽电子加速器和10MeV电子直线加速器,开展了电子单粒子效应实验研究,并分析了其机理.在保持入射电子能量不变的情况下,在±20％范围内改变器件的工作电压进行了单粒子翻转实验.实验结果表明:45nmSRAM(额定工作电压1.5V)芯片在电子直线加速器产生的高能电子照射下能产生明显的单粒子翻转,单粒子翻转截面随入射电子能量的变化趋势与文献数据相符合;电子引起的单粒子翻转截面随器件工作电压的变化趋势与理论预期一致,即工作电压越小,单粒子翻转临界电荷越小,翻转截面也越高.
作者：许北燕 郭刚 曾自强 杨京鹤 韩金华
作者单位：中国原子能科学研究院核技术应用研究所,北京102413中国原子能科学研究院核物理研究所,北京102413
母体文献：中国原子能科学研究院第32届“五四”青年学术报告会论文集
会议名称：中国原子能科学研究院第32届“五四”青年学术报告会
会议时间：2018年4月16日
会议地点：北京
主办单位：中国原子能科学研究院
语种：chi
分类号：
关键词：高能电子 单粒子效应 电子加速器
在线出版日期：2021年9月26日
基金项目：
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