文档名：衬偏效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响
研究衬底偏置效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响.在TG偏置下,以不同剂量的60Co辐照130nmSOINMOSFET器件,监测辐照前后不同尺寸器件在不同衬底偏压下的电学参数.对于PDSOINMOS器件而言,短沟道器件受到总剂量辐照影响更敏感,且对于短沟道器件,宽长比越大,辐射导致的器件损伤亦更大.掩埋氧化物中辐射导致的陷阱电荷将耗尽附近的中性体区,在辐射一定剂量后,部分耗尽器件将转变为全耗尽器件,并且可以观察到辐射诱导的耦合效应.对于10um/0.35um的器件,辐照后出现了明显的阈值电压漂移和大的漏电.辐照前衬底偏压为负时的转移特性曲线相比于衬底电压为零时发生了正向漂移.当衬底电压Vb=-1.1时正栅耗尽区已经增加到与顶层硅厚度相等,器件处于全耗尽状态,|Vb|的继续增加无法导致耗尽区的继续增加,转移特性曲线不随着|Vb|增加继续向右漂移,说明体区负偏压已经无法实现耗尽区宽度的调制,因此器件的转移特性曲线也没有出现类似辐照前的正向漂移.对于SOINMOS器件,体区负偏压可以在一定程度上抑制辐射增强的寄生效应,从而改善器件辐照后的电学特性.
作者：席善学 郑齐文 崔江维 魏莹 姚帅 赵京昊 何承发 郭旗 陆妩
作者单位：中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐,830011;中国科学院大学,北京,100049中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐,830011
母体文献：中国电子学会可靠性分会第二十届可靠性物理年会论文集
会议名称：中国电子学会可靠性分会第二十届可靠性物理年会
会议时间：2018年10月1日
会议地点：广州
主办单位：中国电子学会
语种：chi
分类号：TN4TN3
关键词：绝缘体上硅器件 衬偏效应 总剂量效应 体区负偏压
在线出版日期：2021年12月15日
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