磁控溅射Cu膜结构及电学性能研究

文档名：磁控溅射Cu膜结构及电学性能研究
采用射频磁控溅射方法在普通玻璃基片上沉积Cu膜,研究了在100℃的沉积温度下,不同厚度、溅射功率以及热处理温度对Cu膜结构及电学性能的影响.结果表明,在相同溅射功率下,随着厚度的增加,结晶度增加,电阻率下降,到厚度达到450nm以后,结晶度依旧增大,而电阻率达到稳定值约为60μΩ/cm;在同一膜厚下,随着溅射功率的增加,结晶度降低,但是Cu膜的电阻率也降低;热处理后,Cu膜的结构和性能有很大变化,400℃左右,Cu膜电阻率降到最低,降到3μΩ/cm左右.
作者：郑敏栋赵修建倪佳苗梁斐
作者单位：武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室,湖北省武汉市,430070
母体文献：2015年全国玻璃科学技术年会论文集
会议名称：2015年全国玻璃科学技术年会  
会议时间：2015年4月24日
会议地点：江苏宿迁
主办单位：中国硅酸盐学会
语种：chi
分类号：
关键词：铜膜  磁控溅射法  膜层结构  电学性能
在线出版日期：2016年5月23日
基金项目：
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2024-12-9 22:08 上传 磁控溅射Cu膜结构及电学性能研究.pdf

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