磁控溅射四元靶材法制备17.5%效率CIGS电池研究

文档名：磁控溅射四元靶材法制备17.5%效率CIGS电池研究
提高硒化过程中硒化氢浓度可以显著增大晶粒尺寸，但是本实验中并没有发现晶粒尺寸与光伏特性参数具有明显的相关性。通过在硒化退火处理后引入表面硫化处理，可以提高薄膜表面Ga含量。表面硫化处理后，S主要分布于近表面200nm范围内。表面硫化处理的引入可以使得薄膜禁带宽度沿纵向方向具有双梯度分布，从而使得样品在具有高开路电压的同时获得较高短流电流。最终，电池器件效率达到17.5％，这是目前采用磁控溅射四元陶瓷靶材法制备得到的最高效率。
作者：欧阳良琦赵明庄大明巩前明曹明杰郭力孙汝军高泽栋李晓龙
作者单位：清华大学材料学院先进成形制造教育部重点实验室,北京100084
母体文献：2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会论文集
会议名称：2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会  
会议时间：2015年10月13日
会议地点：北京
主办单位：中国可再生能源学会,中国光伏行业协会
语种：chi
分类号：
关键词：铜铟镓硒太阳电池  制备工艺  转换效率  开路电压
在线出版日期：2018年3月21日
基金项目：
相似文献
相关博文

2024-12-9 22:07 上传 磁控溅射四元靶材法制备17.5%效率CIGS电池研究.pdf

文件大小:

889.08 KB

下载次数:

60

高速下载