文档名：低温外延高锗含量锗硅合金
Si和Ge是间接带隙半导体,它们的发光效率不高.但是,在Ge中引入一定含量的Sn可以使其变成直接带隙,大大提高发光效率.目前,在使用分子束外延生长GeSn合金的研究中,常使用与GeSn合金的晶格常数接近的锗或者三五族材料作为衬底.但是,锗衬底和三五族衬底不仅价格昂贵,微加工手段复杂,也无法与标准CMOS工艺相结合,无法直接转移到硅衬底上.本文研究在硅衬底上低温外延高锗含量的GeSi合金，以此作为生长GeSn合金的缓冲层。
作者：叶佳佳 谷雨 王宇生 芦红
作者单位：南京大学现代工程与应用科学学院固体微结构物理国家重点实验室
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TN4O48
关键词：间接带隙半导体 锗硅合金 锗含量 分子束外延生长
在线出版日期：2019年8月12日
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