文档名：第四代宽禁带半导体的发展与展望
课题组掌握大面单晶金刚石晶圆生长、电子器件级单晶金刚石薄膜外延生长、掺杂的核心技术,同时掌握设备的制造和研发技术.着重对特色技术-克隆技术进行介绍。目前国内首次实现了英寸级金刚石单晶晶圆的克隆生长,工艺稳定.
作者：王宏兴
作者单位：西安交通大学宽禁带半导体材料与器件研究中心,陕西西安710049
母体文献：粤港澳大湾区真空科技与宽禁带半导体应用高峰论坛暨2017年广东省真空学会学术年会论文集
会议名称：粤港澳大湾区真空科技与宽禁带半导体应用高峰论坛暨2017年广东省真空学会学术年会
会议时间：2017年12月1日
会议地点：广东惠州
主办单位：广东省科协,广东省真空学会
语种：chi
分类号：
关键词：宽禁带半导体 晶体生长 掺杂改性 克隆技术
在线出版日期：2021年3月22日
基金项目：
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