文档名：电位梯度对ZnO压敏电阻残压影响的研究
许多科研人员研究发现,提高压敏电阻电位梯度可以在一定程度上降低压敏电阻的残压比,提高压敏电阻对线路的保护水平,本文将在实验验证的基础上,对这一现象进行分析，Zn0压敏电阻的阻值相当于其内部品粒电阻和晶界电阻共同串并联的结果，随着晶粒尺寸的减小，单位体积内串并联的品粒、品界电阻也增多，由于样品2的电位梯度明显高于样品1．所以其单位体积内串并联的晶粒、晶界电阻多于样品l（样品l和样品2的压敏电压相近，内部晶粒、品界电阻的增加主要是单位面积的晶粒、晶界个数的增加），在通过各脉冲电流冲击时，高电位梯度样品2的有效阻值低于低电位梯度样品l。但是两者样品的压敏电压相同，说明厚度方向晶界个数相同，对于相同电极面积而言，样品2的晶界并联数量多于样品1．即说明样品2的晶界并联效应明显，所以样品2的残压比较低．也就是电位梯度高、晶粒尺寸小的样品，其残压比低。因此在适当范围内减小品粒尺寸，可以降低Zn0压敏电阻残压比。从晶粒尺寸均匀性角度来说，Zn0压敏电阻内部晶粒尺寸越均匀，导通后Zn0压敏电阻内部电流分配越均匀，因此残压比越低。
作者：王波贾广平毛海波冯志刚
作者单位：深圳市顺络电子股份有限公司深圳518110
母体文献：中国电子学会敏感技术分会电压敏专业学部第二十三届学术年会论文集
会议名称：中国电子学会敏感技术分会电压敏专业学部第二十三届学术年会
会议时间：2016年10月26日
会议地点：重庆
主办单位：中国电子学会
语种：chi
分类号：TM8TN3
关键词：氧化锌压敏电阻 残压比 电位梯度 晶粒尺寸
在线出版日期：2020年5月31日
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