文档名：灯丝间距对CVD金刚石厚膜生长的影响
本文采用热丝化学气相沉积方法制备CVD金刚石厚膜,通过灯丝间距缩短为4mm，同时增加围挡，使得CVD金刚石厚膜的生长速度可达到7.5μm/h，热导率达到1028W/(m·K)，CVD金刚石膜结构致密，无孔洞，甚至透红光。其主要原因是灯丝间距缩短和增加围挡，增加了灯丝阵列的活化能力，产生更多的含碳基团和原子氢，促进金刚石生长，加速sp2结构碳的刻蚀。
作者：赵志岩周明于郝超
作者单位：廊坊西波尔钻石技术有限公司,河北廊坊,065300
母体文献：第十九届中国超硬材料技术发展论坛论文集
会议名称：第十九届中国超硬材料技术发展论坛
会议时间：2015年11月1日
会议地点：郑州
主办单位：中国机床工具工业协会超硬材料分会
语种：chi
分类号：TN3
关键词：金刚石厚膜 热丝化学气相沉积法 灯丝间距 围挡 生长速度
在线出版日期：2016年6月21日
基金项目：
相似文献
相关博文
- 文件大小:
- 609.8 KB
- 下载次数:
- 60
-
高速下载
|
|
