文档名：短中波波双色HgCdTe组件制备与表征
文章报道了基于分子束外延碲镉汞(MCT)短/中波双色材料、器件的最新进展.采用分子束外延方法制备出了高质量的短/中波双色碲镉汞材料,并优化了材料质量,材料表面缺陷密度控制在800cm-2以内,通过扫描电子显微镜可以看出各层材料间界面陡峭;使用傅里叶转换红外线光谱分析仪(FTIR)、XRD等方法对材料进行了表征;基于此材料制备出了短/中波碲镉汞组件,并对组件进行了全面的表征,性能良好,成像清晰.
作者：王经纬陈惠卿王亮王经纬
作者单位：中国电子科技集团公司第十一研究所
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：
关键词：半导体组件 碲镉汞 双色材料 制备工艺 成像性能
在线出版日期：2019年8月12日
基金项目：
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