文档名：堆垛层错对SiC纳米线吸波性能的影响机制
明确材料内部缺陷与性能之间的联系有利于通过调节缺陷结构来调整材料的性能.在本研究中,采用透射电子显微镜、X射线衍射仪和X射线吸近边吸收来分析并比较了SiC纳米线在不同制备温度下的堆垛层错状态和电子结构.通过分析发现,随着制备温度从1400℃升高至1600℃,SiC纳米线中的堆垛层错含量显著降低,堆垛层错平面与纳米线的生长方向间的夹角从35°增加到90°,碳的未占据能态密度与材料内部堆垛层错的含量呈正比.研究表明,SiC纳米线的吸波性能与材料内部堆垛层错的含量密切相关.在1400℃下合成的SiC纳米线具有大量的堆垛层错和C的未占据能态密度,大量诱发的偶极子在电磁场作用下产生极化作用.这些极化作用使材料具有优异的吸波性能.
作者：王志江梁彩云
作者单位：哈尔滨工业大学化工与化学学院,哈尔滨,150001
母体文献：第三届中国国际复合材料科技大会(CCCM-3)论文集
会议名称：第三届中国国际复合材料科技大会(CCCM-3)
会议时间：2017年10月1日
会议地点：杭州
主办单位：中国复合材料学会
语种：chi
分类号：TN3O48
关键词：碳化硅纳米线 堆垛层错 电子结构 吸波性能
在线出版日期：2020年7月21日
基金项目：
相似文献
相关博文
- 文件大小:
- 1.22 MB
- 下载次数:
- 60
-
高速下载
|
|
