文档名：分子束外延InAsGaSb超晶格材料
InAs/GaSb超晶格材料是目前唯一理论上性能超越碲镉汞的红外探测器材料,被公认为制备第三代红外探测器的优选材料.利用分子束外延技术在(100）GaSb衬底上生长了超晶格材料,通过优化去氧化层工艺、缓冲层生长优化,获得极高质量的缓冲层材料,表面明显的台阶流显示了GaSb呈理想的二维生长模式.并继续通过优化生长参数,在缓冲层上生长了高质量的InAs/GaSb超晶格材料,解决了由应变引起的缺陷难题,将缺陷密度降到400/cm2以下.通过高分辨X射线衍射仪测得超晶格材料的多级卫星峰,-1级卫星峰半峰宽小于17arcsec,显示了材料良好的界面质量.最后通过制备焦平面阵列验证了材料的性能,验证芯片规格为128×128,平均峰值探测率达8×1010cm.Hz1/2/w,并获得清晰成像.
作者：邢伟荣刘铭吴卿周立庆
作者单位：华北光电技术研究所
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TQ2TN3
关键词：半导体超晶格材料 分子束外延 去氧化层工艺 缓冲层优化 界面质量
在线出版日期：2019年8月12日
基金项目：
相似文献
相关博文
- 文件大小:
- 316.71 KB
- 下载次数:
- 60
-
高速下载
|
|
