不同N掺杂浓度SiC单晶生长.pdf
采用物理气相传输法,通过调节SiC生长过程中通入生长腔的N2流量(N2/(N2+Ar)-0～10％),改变晶体生长前沿的N分压,获得了不同掺N浓度的SiC单晶.采用二次离子质谱法对其N掺入量进行测试,得出了掺N浓度与生长气氛中N分压的关系.利用霍尔测试仪及非接触电阻率测试仪对其迁移率、电阻率等电学性质进行了测量.根据不同掺N浓度下,沿生长方向晶体电阻率均匀性,估计生长系统中背景N杂质含量在1018cm-3量级.
作者：杨样龙徐现刚胡小波陈秀芳彭燕
作者单位：山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
母体文献：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议论文集
会议名称：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
会议时间：2015年10月30日
会议地点：苏州
主办单位：中国电子学会
语种：chi
分类号：TQ1TB3
关键词：碳化硅 单晶生长 氮掺杂浓度 氮分压
在线出版日期：2019年1月18日
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