表面活化剂In辅助的半极性1122面Al0.42Ga0.58N薄膜的外延生长

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本文使用金属有机化合物气相外延(MOVCD)系统,第一次成功地采用In作表面活化剂,在(10-10)m面蓝宝石衬底上生长出了半极性(11-22)面的Al0.42Ga0.58N薄膜.同时采用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)、原子力显微镜(AFM)以及霍尔效应测试仪分别表征材料的晶体取向、表面形貌以及电学特性.XRD扫描结果表明,采用In作表面活化剂,半极性(11-22)面AlGaN外延层的晶体质量得到显著提高.AFM的结果表明,半极性(11-22)面AlGaN外延层样品的表面粗糙度将随着TMIn摩尔流量的提高而减小.另外,在In作表面活化剂生长的过程中,由于氮空位(VN)密度显著下降,半极性(11-22)面AlGaN外延层的背景电子浓度从2.66×1017cm-3降到了2.97×1016cm-3.
作者：梁宗文代倩栾华凯张雄崔一平
作者单位：东南大学电子科学与工程先进光子学中心
母体文献：
会议名称：2017年江苏省照明学会学术年会  
会议时间：2017年12月1日
会议地点：南京
主办单位：江苏省照明学会,江苏省照明电器协会
语种：chi
分类号：TN3O48
关键词：半导体材料  氮化物薄膜  外延生长  表面活性剂  表面形貌  电学特性
在线出版日期：2021年3月31日
基金项目：
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2024-12-9 14:04 上传 表面活化剂In辅助的半极性1122面Al0.42Ga0.58N薄膜的外延生长.pdf

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