半导体器件用陶瓷基片材料发展现状.pdf
陶瓷材料具有优异的力学强度,并具有高熔点、高硬度、高耐磨性、耐氧化等优点,是半导体器件,特别是大功率半导体器件绝缘基片的重要材料.随着半导体器件向大功率化、高频化的不断发展,对陶瓷绝缘基片的导热性和力学性能都提出了更高的要求.本文在半导体器件对基片材料性能要求的基础上,介绍了目前常用的氧化铍、氧化铝和氮化铝的性能及应用前景.阐述了新型陶瓷基板材料氮化硅陶瓷的物理力学性能,并与氧化铝和氮化铝的性能进行了比较,分析了氮化硅陶瓷基片在半导体器件上的应用优势,并对其未来前景进行了展望.
作者：张伟儒郑或李正高崇童亚琦
作者单位：北京中材人工晶体研究院有限公司,北京100018
母体文献：第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会论文集
会议名称：第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会
会议时间：2017年9月1日
会议地点：江西衢州
主办单位：中国真空电子材料行业协会
语种：chi
分类号：
关键词：半导体器件 陶瓷基片材料 导热性 力学性能
在线出版日期：2020年6月28日
基金项目：
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