SiC反应低温合成SiC晶须的机制研究.pdf
采用Si和石墨为原料,Ar保护,于1350℃保温5h合成SiC晶须,对生成物的分布状态、相组成和显微结构进行检测分析,结合热力学计算分析,研究了Si/C反应低温合成SiC晶须的机制.结果表明:1)Si源和C源以气相的形式参与反应,低浓度的Si源更有利于合成高品质的SiC晶须;2)微量的O2对合成SiC的反应起到传质作用,Si和C首先被O2氧化为气相的SiO和CO,气相的SiO和CO反应生成SiC和O2.
作者：梁鹏鹏李红霞王刚韩建燊吴吉光郭俊华杜鹏辉
作者单位：中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司先进耐火材料国家重点实验室河南洛阳471039
母体文献：第十七届全国耐火材料青年学术报告会论文集
会议名称：第十七届全国耐火材料青年学术报告会
会议时间：2020年10月19日
会议地点：河南洛阳
主办单位：中国金属学会
语种：chi
分类号：TG2X85
关键词：碳化硅 晶须合成 气相反应 生成物状态 相组成 显微结构
在线出版日期：2021年1月25日
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