ITO调制金属nGe接触势垒的研究.pdf
锗(Ge)材料因其较高的载流子迁移率以及与硅工艺兼容的性质成为下一代高性能集成电路半导体MOSFE器件沟道的首选替代材料.然而由于金属与n-Ge接触界面存在强烈的费米能级钉扎效应,使得金属与n-Ge接触势垒很高,接触电阻较大,影响器件性能的提高.在金属和n-Ge之间加入一定厚度的介质层通常被认为是一种有效减轻费米钉扎的方法.然而,由于大多数介质层本身的绝缘性,使得介质本身会引入额外的串联电阻,不利于接触电阻的降低.不同于传统的绝缘介质层材料,ITO本身具备较好的导电性能,以ITO作为金属和n-Ge的介质层,在减轻金属和n-Ge费米钉扎的同时又不会引入较大串联电阻,是一种较为理想的介质层材料.因而,研究ITO对于金属/n-Ge肖特基的势垒的调制机理具有重要意义.
作者：黄志伟毛亦琛李成陈松岩黄巍徐剑芳
作者单位：厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,厦门361005
母体文献：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文集
会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
会议时间：2017年5月25日
会议地点：厦门
主办单位：厦门大学,浙江大学
语种：chi
分类号：TN9U67
关键词：锗材料 氧化铟锡 导电性能 调制机理 费米能级钉扎效应
在线出版日期：2020年6月22日
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