InP基短波红外探测器与激光器研究最新进展.pdf
在本报告中，将介绍在研究InP基大于1.7微米的短波红外波段探测器及激光器方面的最新进展。这些材料和器件均是采用气态源分子束外延生长的。对于探测器，设计并生长了不同结构的InP基异变InAlAs缓冲层，分析了组分阶跃递变、组分阶跃-连续递变缓冲层的弛豫过程以及缓冲层性能，研究了缓冲层掺杂对弛豫过程的影响；利用铋在融入III-V族材料晶格后产生大带隙收缩的效应，生长并分析了与InP衬底具有不同晶格失配度的InGaAsBi材料，基于与InP衬底接近晶格匹配的InGaAsBi材料研制了截止波长2.1微米的探测器，还通过适当增加In组分获得了截止波长达2.6微米的InGaAsBi探测器。在激光器方面，发展了梯形量子阱和InAlGaAs四元材料波导新结构，在生长InP基大失配高应变量子阱时采用铋作为表面剂提高了材料和器件的质量；在InP基In0.83Al0.17As异变衬底上生长了具有不同铋组分的InAsBi量子阱，室温下光致发光波长最长达到3.1微米。在材料和器件研究的基础上，所研制的InGaAs探测材料进一步在航天遥感载荷中获得了应用。
作者：顾溢张永刚陈星佑马英杰奚苏萍杜奔纪婉嫣师艳辉张见朱怡李爱珍
作者单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TN4TN3
关键词：短波红外探测器 激光器 晶格结构 性能表征
在线出版日期：2019年8月12日
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