InP基HEMT材料优化生长及其特性研究.pdf
InP基HEMT沟道电子迁移率高,工作频率高,噪声性能好.相对于GaAsHEMT,InPHEMT器件中InGaAs沟道和InGaAs/InAs组合沟道界面存在更大的导带不连续性,二维电子气密度大,导电沟道的薄层电子浓度高,提高了器件的电流处理能力.InP材料的热导率比GaAs高40％,在相同功耗工作时,温度更低,有较大的输出功率.由于InP基HEMT非常优越的高频、低噪声性能,近年来已成为HEMT器件的主流.InP基HEMT是毫米波和太赫兹器件与电路重要的三端器件.器件结构材料中界面明显清晰，平整度非常高。InP基HEMT结构材料的SIMS深度分布测试结果反映了III族元素In、Al和Ga、V族As和P元素以及掺杂剂Si元素的分布。
作者：艾立鹍周书星徐安怀李家恺齐鸣
作者单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海市长宁路865号,200050
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TN3TN4
关键词：高电子迁移率晶体管 磷化铟基材料 生长工艺 热导率
在线出版日期：2019年8月12日
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