Co2FeAl中弱局域化对反常霍尔效应的影响.pdf
半金属磁性材料由于在费米面附近只存在一种自旋取向的电子,理论而言它的自旋极化率为100％,对于自旋注入起到了关键作用1.利用分子束外延技术(MBE）生长出了高质量的heusler合金Co2FeAl薄膜,并且测量其输运性质.发现当Co2FeAl薄膜厚度减小到10ML(1ML=0.14nm)时,R-T曲线表现为半导体的性质(Fig.1).认为,由于薄膜属于岛状生长模式,当薄膜厚度减小到10ML时,Co2FeAl形成的是一个个的团簇,他们之间并没有连接到一起,所以电流通过时,是通过邃穿的模式使得电流通过,所以呈现出半导体的特性.
作者：张晓倩赖柏霖何亮徐永兵
作者单位：南京大学电子科学与工程学院,南京210093
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TB3TM1
关键词：磁性半导体薄膜 分子束外延生长 反常霍尔效应 弱局域化
在线出版日期：2019年8月12日
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