Ge材料导带电子的晶格振动散射.pdf
载流子的散射机制对锗材料的迁移率及光学性质具有重要的影响.本文通过构建直接带(Г)能谷谷内散射、间接带L能谷谷内散射以及(Г)能谷与L能谷之间的声子散射模型,计算载流子不同类型的散射几率,为能带改性锗材料在微电子、光电子等领域提供理论参考价值.
作者：黄诗浩 谢文明 汪涵聪 林光杨 王佳琪 黄巍 李成
作者单位：福建工程学院,信息科学与工程学院,福建福州,350118厦门大学,物理科学与技术学院,福建厦门,361005
母体文献：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文集
会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
会议时间：2017年5月25日
会议地点：厦门
主办单位：厦门大学,浙江大学
语种：chi
分类号：TN3O41
关键词：锗材料 能带结构 晶格振动 散射几率
在线出版日期：2020年6月22日
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