GeSn薄膜的MBE生长和快速退火研究.pdf
锗锡(GeSn)合金由于带隙属性和大小可调以及高迁移率的特性,已经成为拓展当前硅基光电器件应用领域的潜力材料.锗本身是一种不利于发光的间接带隙半导体材料,但是,当向锗中加入锡后,能带结构将发生改变,并于锡组分达到7％时转变为直接带隙.GeSn二元系统的热平衡固体互溶度仅有1％,偏析是高质量GeSn合金生长中最大的挑战.
作者：张振普 宋禹忻 李耀耀 朱忠赟珅 吴晓燕 韩奕 陈其苗 张立瑶 王庶民
作者单位：中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;上海科技大学,物质科学与技术学院,上海,201210中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院大学,北京,100049中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;上海科技大学,物质科学与技术学院,上海,201210;查尔莫斯理工大学,瑞典哥德堡,41296
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：
关键词：半导体薄膜 锗锡合金 分子束外延生长 退火工艺
在线出版日期：2019年8月12日
基金项目：
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