GeSn薄膜材料的微结构及其发光性质研究.pdf
目前,随着晶体管尺寸的进一步缩小,微电子工业的电互连技术面临严峻挑战,其进一步发展可能依赖于光互连技术.硅基光互连技术被认为最有发展前景.而硅基光互连发展的瓶颈是硅基光源,这是由于锗、硅是间接带隙半导体材料.在硅基上集成的各种材料体系中,GeSn合金材料受到广泛关注,主要原因如下:与传统的硅基技术相匹配;可实现直接带隙的GeSn材料;GeSn材料随Sn组分的变化可覆盖整个红外波段(0～0.67eV).近年来,已经有实验及理论报导,当Sn组分大于9％时,GeSn合金可以实现直接带隙的高效发光.
作者：刘桃王利明祝广健蒋最敏
作者单位：复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：
关键词：合金半导体薄膜材料 生长工艺 带隙结构 发光性质
在线出版日期：2019年8月12日
基金项目：
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