GaAs基量子点微纳微柱、纳米线量子光源研究.pdf
以SK(Stranski-Krastanov）模式生长的低密度GaAs基量子点(InAs/GaAs或GaAs/AlGaAs）,由于可在类二能级体系中周期性地光泵浦或电注入电子、空穴,在低温下具有类原子光谱而用以制备单光子源.它具有高的振子强度,窄的谱线宽度,波长可调谐,且容易集成等优势,从而成为固态量子物理和量子信息器件领域研究的热点.目前，实现高效量子点量子光源面临的挑战性问题是单量子点的可控制备、高效收集以及纠缠光子对的同时高效提取等。近年来，将单个量子点置于微纳结构，（微腔，波导结构）中，可有效增强量子点的荧光提取效率，进一步制备高品质的量子光源。本文首先报道了基于微柱结构的量子点单光子源的制备及其特性，在分子束外延生长的自组织量子点平板结构中，利用单量子点的荧光成像定位技术，并将荧光成像定位技术应用于微柱量子点结构，实现成品率大于50％，单光子提取效率大于65%的确定性单光子源。
作者：喻颖 刘顺发 韦玉明 苏荣玲 王靖 查国伟 倪海桥 牛智川 王雪华 余思远
作者单位：光电材料与技术国家重点实验室,电子与信息工程学院,物理学院,中山大学超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TP3TN9
关键词：砷化镓量子点 分子束外延生长 微柱量子光源 纳米线量子光源
在线出版日期：2019年8月12日
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